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伞型高压硅堆
HVDIODE品牌伞型高压硅堆系列产品,是由多个微型单元PN结芯片组合构成的高压整流器件,实现高耐电压的层状单元结构。
此种组合结构外型为伞型结构设计,方便了用户的使用.用户可以根据电压的爬电距离随意增减伞型数目,并可缩小高压硅堆的使用空间,增加设备的空间利用率。
本系列产品参数范围:
反向耐压:1KV~1000KV;
正向电流:5A~50A;
反向恢复时间:300nS~2000nS;
工作频率:50Hz~200KHz.
多孔型高压硅堆
HVDIODE品牌多孔型高压硅堆系列产品,是由多个微型单元PN结芯片组合构成的高压整流器件,实现高耐电压的层状单元结构。
此种组合结构外部为多孔结构设计,大大提高了高压硅堆的表面积,进而提高了多孔型高压硅堆的散热效果。
本系列产品参数范围:
反向耐压:1KV~1000KV;
正向电流:5A~50A;
反向恢复时间:300nS~2000nS;
工作频率:50Hz~200KHz.
散热器系列高压硅堆
HVDIODE品牌散热器系列高压硅堆系列产品是由多个微型单元PN结芯片组合构成的组件型高压整流器件,实现高耐电压的层状单元结构。
此种散热器型高压硅堆结构,我们采用紫铜散热器与PN结内部直接连接,导热性能强,散热速度快,特别对于瞬间大脉冲电流的缓冲效果好,充分保证了持续工作电路运行的可靠性。
本系列产品参数范围:
反向耐压:1KV~500KV;
正向电流:1mA~1000A;
反向恢复时间:30nS~2000nS;
工作频率:50Hz~200KHz.
梯形系列高压硅堆
HVDIODE品牌梯形系列高压硅堆产品,是由多个微型单元PN结芯片组合构成的高压整流器件,实现高耐电压的层状单元结构。

本系列产品参数范围:
反向耐压:1KV~100KV;
正向电流:1mA~20A;
反向恢复时间:30nS~2000nS;
工作频率:50Hz~200KHz.
圆柱体系列高压硅堆
HVDIODE品牌圆柱体系列高压硅堆产品,是由多个微型单元PN结芯片组合构成的高压整流器件,实现高耐电压的层状单元结构。

本系列产品参数范围:
反向耐压:1KV~1000KV;
正向电流:1mA~100A;
反向恢复时间:30nS~2000nS;
工作频率:50Hz~200KHz.
长方体系列高压硅堆
HVDIODE品牌长方体系列高压硅堆产品,是由多个微型单元PN结芯片组合构成的高压整流器件,实现高耐电压的层状单元结构。

本系列产品参数范围:
反向耐压:1KV~1000KV;
正向电流:1mA~1000A;
反向恢复时间:30nS~2000nS;
工作频率:50Hz~200KHz.
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